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　　為扶持中國自己的芯片產業，用國產化來解決對國外廠商重度依賴的問題，2014年，國務院發布《國家集成電路產業發展推進綱要》，明確了集成電路產業發展的遠期目標，即到2023年，產業鏈主要環節達到國際先進水平。為了實現這一目標，在工信部、財政部的指導下，國家集成電路產業投資基金設立，俗稱大基金。

　　隨著今年5月24日國家集成電路產業投資基金三期股份有限公司的成立，大基金目前已投資三期，第三期注冊資本3440億元，投資規模超過了第一期與第二期總和，國家對集成電路產業的持續投資增強，無疑是為這一領域的從業者們注入了一劑強心劑，極大地提振了行業信心和創新活力。而截止目前，大基金一期基本已投資完畢，二期恰逢投資周期中間，此時對一期、二期的投資數據進行盤點，則能較為全面的看清未來集成電路產業的發展趨勢以及國家重點關注的領域。可預見的是，未來，處于上游的半導體材料、半導體設備及其零部件或將成為投資重點，科學儀器行業也將得到新的發展機遇。

　　大基金一期投資布局：制造是重點

　　大基金一期成立于2014年9月，注冊資本987.2億元，最終募集資金總額為1387億元，存續期限為2014年9月26日至2024年9月25日，存續期限10年。公開資料顯示，一期對外投資企業共74家，投資分布大致為集成電路制造占67%，設計占17%，封測占10%，裝備材料類占6%。可以看出，制造領域是一期基金投資的重點，其次是IC設計和封測產業，而投資占比較小的是半導體設備、材料等上游產業鏈。

　　從投資地區分布來看，投資的74家企業分布在11個地區，Top 5分別是上海、江蘇、北京、浙江、廣東，其中上海更是占據總投資企業數量的28.38%，高居榜首。投資地區較為集中在以上海為主的東部沿海城市，北方城市則以北京最為集中。這些地區成熟的半導體產業鏈和人才優勢等方面優勢更有利于推動國內半導體產業的快速發展和國產替代。

　　大基金一期的成功募集與廣泛投資顯著帶動了社會資本投入，撬動杠桿高達1:5，為集成電路產業提供了強有力的資金支持。同時，市場化的運作，也有效促進了我國集成電路產業的發展，促進了上下游企業間的合作，在制造、設計、封測、設備以及材料等領域都取得了良好的進展與有效的突破。推動了國內芯片制造從成熟制程邁向先進制程，填補了國內在半導體設備和材料領域的部分空白，提高了產業鏈的自主可控能力，加快了半導體設備國產化進程，部分技術壁壘較低的設備已實現30%~40%的國產化率，但一些技術壁壘較高的設備國產化率較低，甚至不到5%，如光刻設備、量檢測設備等。而大基金二期、三期的投入或將幫助國產半導體設備從底層零部件角度實現超越。

　　大基金二期投資布局：更多元

　　二期成立于2019年10月22日，注冊資本2041.5億元，營業期限為2019年10月22日至2029年10月21日，存續期限與一期相同均為10年。但二期與一期不同的是，二期投資領域更多元化，體現在行業、地區等方面。

　　行業多元

　　從投資數量上來看，二期投資行業更加多元，分布大致為制造36.36%、材料16.36%、設備14.55%、芯片設計14.55%、封測5.45%、集成電路設計工具5.45%、算力芯片5.45%、軟件（CIM/MES等軟件）1.82%。可明顯看出，相較于一期，二期投資的行業有較大變化。制造業仍處于投資的重點，超過80%的資金流向了重資產的制造領域。中芯南方、長江存儲、華虹半導體這三家制造企業在一期和二期中均得到了投資。其中存儲芯片制造企業長鑫存儲、長江存儲受到青睞，隨著AI技術以及大算力的需求越來越旺盛，存儲的市場空間還將會進一步增長。

　　作為產業鏈的短板環節，處于集成電路產業上游的材料和設備投資占比則大幅增加，超過了10%的份額。細分來看，材料領域包括了光刻膠、掩膜版、硅片、電子特種氣體、濕電子化學品等在內的大部分半導體材料。設備領域包括了探針臺、分選機、離子注入機、CMP、劃片機、晶圓自動化傳輸設備等。值得注意的是，半導體設備零部件廠商臻寶科技、鐠芯電子也在投資列表中，這是大基金首次布局半導體零部件公司。當前國內半導體設備零部件企業的技術能力、工藝水平、產品精度和可靠性與國外差距較大，整體國產化率僅為10%-30%，一些零部件的國產化率幾乎為零。大基金的資金注入勢必將加快關鍵零部件的國產化進程，提高國內半導體設備的自給能力。

　　另外，北京清微智能、上海燧原科技、北京奕斯偉三家算力芯片領域企業也得到了投資，這將有助于引導資源向這一高端領域集中，促進企業更多的投入到先進制程和高性能芯片的研發中，加速技術突破，縮小與國際先進水平的差距。而這也將帶動半導體產業鏈上下游企業的協同發展，促進芯片設計企業與制造、封裝測試企業之間的緊密合作，提高整個產業鏈的效率和質量。

　　投資地區更廣

　　相較于一期投資了11個地區，二期目前投資的55個企業分布在14個地區省份，其中安徽、重慶、陜西、四川、山西、河北是首次投資，和一期投資地區基本分布在沿海城市不同的是，一些西部和北部城市出現在二期的投資視野中，這表明大基金投資動向不再局限于東部沿海地區，鼓勵半導體產業向西部和北部拓展，這將幫助西部和北部城市縮小與東部發達地區的差距，促進區域協調發展，并且有助于構建更全面、更合理的半導體產業布局，在全國范圍內形成多點開花的局面，增強產業的抗風險能力和穩定性。

　　大基金三期投資方向預測

　　國家大基金三期于2024年5月28日成立，注冊資本3440億元。存續期限為2024年5月24日至2039年5月23日，從一期、二期的10年延長到15年，體現了更長遠的發展戰略。從對前期大基金投資數據的分析中，國家大基金一期和二期在半導體設備和材料領域進行了大量投資，為我國芯片產業的初期發展奠定了堅實基礎。因此，預計國家大基金三期將繼續聚焦于大型半導體制造以及設備、材料、零部件等卡脖子環節以推動國內半導體產業的技術進步和產能擴張。可以推測三期的投資方向大致有以下幾個方面：

　　1、半導體材料

　　半導體材料方面，大尺寸硅片、光刻膠、濺射靶材、光掩模、電子特氣和拋光材料等皆未完全實現國產化替代。其中，光刻膠領域，產能集中于美國、日本等國家，國內本土光刻膠廠商在半導體用光刻膠市場的占比僅為2%，g線（436nm）、i線（365nm）光刻膠國產化率約為10%，KrF光刻膠及ArF光刻膠國產化率僅為1%，極紫外光刻（EUV）和電子束光刻膠的研發與生產能力亟待突破。

　　2、半導體設備及其零部件

　　大基金三期將更加注重對核心技術和關鍵零部件的投資。目前在光刻機、量檢測設備、刻蝕設備等領域國產化率不到10%，而相應的設備零部件國產化率同樣較低，半導體零部件實現國產替代是提高半導體設備國產化率的前提。因此，搶先突破半導體零部件關鍵核心技術短板，成為了國產零部件賽道中突圍的關鍵點。

　　3、先進制造

　　晶圓制造是半導體產業鏈中重資產、高研發投入環節，也是前兩期大基金的投資重心。目前我國在半導體制造方面主要是成熟工藝制程的優勢較大，但是在高端芯片特別是14納米以下的芯片量產還存在較大的技術難點。

　　4、先進封裝

　　隨著摩爾定律逐漸接近物理極限，傳統通過縮小晶體管尺寸來提升性能的方法面臨挑戰，先進封裝技術成為提升系統整體性能的重要突破。當前AI及HPC等芯片對先進封裝技術的需求日也益提升，其中，以臺積電的CoWoS為目前AI服務器芯片主力采用者。中國大陸廠商目前在CoWoS這一特定細分領域還沒有形成突破。據集邦咨詢的數據，隨著需求飆升，臺積電預估至2024年底CoWoS每月產能將逼近40k，相較2023年總產能提升逾150%；2025年規劃總產能有機會幾近倍增。先進封裝有望成為大基金三期關注賽道。

　　5、HBM

　　HBM可以說就是疊在一起的DRAM，有高帶寬、低功耗與體積小等優點，尤為匹配AI芯片的運行。因為AI芯片為了處理大量并行數據，需要高算力和大帶寬的內存。不過，HBM目前在供給層面幾乎被SK海力士、三星、美光三家企業壟斷。SemiAnalysis數據顯示，HBM現況約為SK海力士73%、三星22%、美光5%。市調機構Gartner預估，2023年全球HBM銷售規模為20.05億美元，2025年將翻倍到49.76億美元。

　　6、AI芯片

　　隨著生成式AI涌現以及AI應用進一步落地，全球高算力的AI芯片一直處于結構性緊缺狀態。目前英偉達是全球最大的AI芯片供應商，其市場份額占據了絕對的領先地位。據華經情報網數據，2022年中國AI加速卡出貨量約為109萬張，其中英偉達在中國AI加速卡市場份額為85%，華為市占率為10%，百度市占率為2%。國產AI芯片仍有相當大的發展空間，AI芯片有望成為大基金三期新的投資重點。

　　7、投資地區

　　西部和北部地區在工業、通信、智能設備等領域的發展對半導體產品的需求不斷增長。提前布局投資，可以更好地滿足當地市場的需求，并帶動相關產業的升級。并且隨著東部地區產業結構的調整和升級，半導體產業向西部和北部轉移或將成為一種趨勢。對于推動我國半導體產業的全面發展、區域協調以及產業布局的優化都具有重要意義。

來源：儀器信息網